半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中集成電路布圖設(shè)計(jì)登記與專利申請(qǐng)研究

2009-04-21

駱蘇華
北京集佳律師事務(wù)所上海分所

摘要:通過對(duì)現(xiàn)階段國內(nèi)外企業(yè)在中國的專利申請(qǐng)量以及集成電路布圖設(shè)計(jì)登記量的對(duì)比,詳細(xì)分析了國內(nèi)外企業(yè)對(duì)待其技術(shù)成果的保護(hù)的不同考慮角度,為企業(yè)開展相關(guān)工作提供指導(dǎo)。

關(guān)鍵詞:半導(dǎo)體,發(fā)明專利,實(shí)用新型專利,集成電路布圖設(shè)計(jì)

一.引言

半導(dǎo)體技術(shù)發(fā)展到今天,已逐漸分化成三大組成部分,即設(shè)計(jì)業(yè)、芯片制造業(yè)和后道封裝業(yè)。這種分化是半導(dǎo)體技術(shù)產(chǎn)業(yè)走向成熟的表現(xiàn)。法律上針對(duì)上述不同的三部分,也產(chǎn)生了多種保護(hù)手段,目前半導(dǎo)體技術(shù)可能涉及的知識(shí)產(chǎn)權(quán)有:專利權(quán)、著作權(quán)、商業(yè)秘密、集成電路布圖設(shè)計(jì)、商標(biāo)權(quán)。下面表1給出保護(hù)半導(dǎo)體技術(shù)知識(shí)產(chǎn)權(quán)的簡要說明。

表1保護(hù)半導(dǎo)體技術(shù)知識(shí)產(chǎn)權(quán)的簡要說明

知識(shí)產(chǎn)權(quán) 保護(hù)對(duì)象 備注
專利權(quán) 技術(shù)或者設(shè)計(jì)方案 高價(jià)的;費(fèi)時(shí)的;最適于保護(hù)構(gòu)想。
版權(quán) 原始文字著作;軟件 于創(chuàng)作完成之后自動(dòng)產(chǎn)生。
商業(yè)秘密 技術(shù)信息和經(jīng)營信息 需要努力保持機(jī)密性,如制定嚴(yán)格的保密合同、保密條例;無法保護(hù)通過反向工程(reverse engineering)。
集成電路布圖設(shè)計(jì) 芯片布局信息 需要注冊登記;不能保護(hù)電路表(netlists);商品化后需兩年內(nèi)呈請(qǐng)備案。
商標(biāo)權(quán) 商品、服務(wù)和集體、證明商標(biāo)標(biāo)識(shí) 不能保護(hù)技術(shù)。

從上表可以看出,對(duì)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中的技術(shù)成果通常采用專利權(quán)、商業(yè)秘密以及集成電路布圖設(shè)計(jì)進(jìn)行保護(hù)。而其中,商業(yè)秘密相對(duì)來說條件要求高,發(fā)生侵權(quán)時(shí)舉證困難不經(jīng)常被采用,當(dāng)然,在很多時(shí)候,由于其不會(huì)造成技術(shù)公開,很多公司采用該優(yōu)點(diǎn)保護(hù)其核心技術(shù)。為此,下面重點(diǎn)圍繞專利權(quán)和集成電路布圖設(shè)計(jì)保護(hù)條例對(duì)半導(dǎo)體技術(shù)的保護(hù)展開。

二、國內(nèi)外企業(yè)登記和申請(qǐng)現(xiàn)狀

我國于2001年3月28日,國務(wù)院第36次常務(wù)會(huì)議通過《集成電路布圖設(shè)計(jì)保護(hù)條例》,該條例從2001年10月1日起實(shí)施,至今,施行《集成電路布圖設(shè)計(jì)保護(hù)條例》已有六年多時(shí)間了。集成電路布圖設(shè)計(jì)的申請(qǐng)量逐年上升,圖1給出集成電路布圖設(shè)計(jì)從2001年以來的登記量的變化。截至到2008年1月16日,國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局已公告集成電路布圖設(shè)計(jì)專有權(quán)1505項(xiàng),在上述登記中,國內(nèi)企業(yè)(忽略個(gè)人登記)的登記占80%左右,國外企業(yè)(忽略個(gè)人登記)占20%左右,這說明,集成電路布圖設(shè)計(jì)以國內(nèi)企業(yè)登記為主,國外企業(yè)登記較少。


圖1從2001年以來集成電路布圖設(shè)計(jì)的登記量的變化


圖2 從1995年以來中國企業(yè)在中國申請(qǐng)的專利的公開量的變化


圖3 從1995年以來外國企業(yè)在中國申請(qǐng)的專利的公開量的變化

我國現(xiàn)行專利法于1985年4月1日起正式施行,分別于1992年和2000年進(jìn)行了兩次修改,目前正面臨第三次修改。圖2給出從1995年以來中國企業(yè)(忽略個(gè)人申請(qǐng))在中國申請(qǐng)的專利的公開量的變化,同時(shí),圖3給出從1995年以來外國企業(yè)(忽略個(gè)人申請(qǐng))在中國申請(qǐng)的專利的公開量的變化??梢钥闯?,半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域中外國企業(yè)在我國的專利申請(qǐng)量是中國單位或者個(gè)人在國內(nèi)的專利申請(qǐng)量的三倍以上;從專利申請(qǐng)的類型來看,外國企業(yè)在國內(nèi)申請(qǐng)的專利中實(shí)用新型專利占總的專利比例很少,而國內(nèi)企業(yè)在國內(nèi)申請(qǐng)的專利中,實(shí)用新型專利占的比例稍高;同時(shí),從申請(qǐng)量的增長趨勢來看,國外企業(yè)在中國的專利申請(qǐng)量的增長明顯大于國內(nèi)企業(yè)的申請(qǐng)量的增長。

結(jié)合上述集成電路布圖設(shè)計(jì)登記量的統(tǒng)計(jì)結(jié)果,國外企業(yè)的集成電路布圖設(shè)計(jì)登記量不足國內(nèi)登記量的四分之一。同時(shí)還要注意,國內(nèi)的集成電路設(shè)計(jì)權(quán)利人以知名集成電路企業(yè)為主,如無錫華潤、上海貝嶺、上海中穎、上海力通、無錫日松、上海華虹、北京中星微、中電華大等公司,但這些企業(yè)的專利申請(qǐng)量大都比較少;而美國、韓國、南非等國家中的集成電路布圖設(shè)計(jì)權(quán)利人都是些不太知名的企業(yè),日本、芬蘭集成電路布圖設(shè)計(jì)權(quán)利人中盡管有部分知名企業(yè),但是其登記量都不多而國外大多數(shù)知名企業(yè)在我國申請(qǐng)了大量專利。

三、現(xiàn)狀分析及結(jié)論

  國內(nèi)外企業(yè)在中國的集成電路布圖設(shè)計(jì)登記量與專利申請(qǐng)量的差別除了由于國內(nèi)企業(yè)的創(chuàng)新能力較差導(dǎo)致之外,還具有以下原因:

對(duì)于國內(nèi)企業(yè)來說,集成電路布圖設(shè)計(jì)登記具有審查周期短、審查程序簡便、費(fèi)用相對(duì)較低等優(yōu)勢,其取得保護(hù)的便利程度大大超過專利保護(hù),所以成本是國內(nèi)企業(yè)考慮的主要因素。同時(shí),國內(nèi)企業(yè)對(duì)于專利法和集成電路布圖設(shè)計(jì)保護(hù)條例的客體存在認(rèn)識(shí)誤區(qū)也是一個(gè)重要原因。

國內(nèi)企業(yè)往往認(rèn)為集成電路布圖設(shè)計(jì)保護(hù)條例與專利法的保護(hù)客體完全不同,前者保護(hù)布圖(lay-out),后者保護(hù)結(jié)構(gòu)或者方法,二者風(fēng)馬牛不相及,因而認(rèn)為自己設(shè)計(jì)出來的版圖與產(chǎn)品或者方法無關(guān),故采用集成電路布圖設(shè)計(jì)條例來保護(hù)。
集成電路布圖設(shè)計(jì)(以下簡稱布圖設(shè)計(jì)),是指集成電路中至少有一個(gè)是有源元件的兩個(gè)以上元件和部分或者全部互連線路的三維配置,或者為制造集成電路而準(zhǔn)備的上述三維配置,其保護(hù)范圍可以延伸至具有該布局的半導(dǎo)體芯片。因此,集成電路布圖設(shè)計(jì)涉及的是半導(dǎo)體芯片的布局,半導(dǎo)體芯片的布局若含有原始電路設(shè)計(jì)就可得到保護(hù)。

我國的專利是指發(fā)明、實(shí)用新型和外觀設(shè)計(jì),專利法所稱發(fā)明,是指對(duì)產(chǎn)品、方法或者其改進(jìn)所提出的新的技術(shù)方案。專利法所稱實(shí)用新型,是指對(duì)產(chǎn)品的形狀、構(gòu)造或者其結(jié)合所提出的適于實(shí)用的新的技術(shù)方案。專利法所稱外觀設(shè)計(jì),是指對(duì)產(chǎn)品的形狀、圖案或者其結(jié)合以及色彩與形狀、圖案的結(jié)合所作出的富有美感并適于工業(yè)應(yīng)用的新設(shè)計(jì)。由于外觀設(shè)計(jì)保護(hù)的主體是工業(yè)品外觀,不太適于集成電路布圖設(shè)計(jì),因此本文的專利僅指發(fā)明或者實(shí)用新型。

因此專利權(quán)一般用于保護(hù)“概念”。例如,以前無先例的方法、程序、構(gòu)造或系統(tǒng)對(duì)上述的改進(jìn)提出聲明及主張。從這個(gè)角度來說,專利權(quán)保護(hù)的范圍比集成電路布圖設(shè)計(jì)延伸的范圍要廣,布圖設(shè)計(jì)中保護(hù)的是提交的布局圖上能夠看到的各個(gè)圖層,類似于外觀設(shè)計(jì);而發(fā)明和實(shí)用新型專利權(quán)保護(hù)的是該專利中記載的技術(shù)方案,還可以保護(hù)其技術(shù)思想。

實(shí)際上,當(dāng)布圖落實(shí)到實(shí)際工藝中就成為專利中的產(chǎn)品或者方法,因此可以說,采用集成電路布圖設(shè)計(jì)保護(hù)還是采用專利法來保護(hù),并不應(yīng)該從企業(yè)做什么而申請(qǐng),而應(yīng)該從企業(yè)設(shè)計(jì)出來的產(chǎn)品是從哪個(gè)角度進(jìn)行保護(hù)而申請(qǐng)。所以說,集成電路布圖設(shè)計(jì)保護(hù)條例與專利法并不矛盾,而是相輔相成。

通常還會(huì)有下列的觀點(diǎn):在集成電路設(shè)計(jì)中,尤其是設(shè)計(jì)一些規(guī)模較大的電路時(shí),常將一些已為人所熟知的單元電路加以組合,這種拼揍而成的集成電路大多難以滿足專利法的創(chuàng)造性要求,故而選擇集成電路布圖設(shè)計(jì)保護(hù)模式進(jìn)行保護(hù)。這個(gè)觀點(diǎn)也是有失偏頗的!

半導(dǎo)體工藝和設(shè)計(jì)的過程分不開,電路設(shè)計(jì)必須基于一定的工藝進(jìn)行設(shè)計(jì),比如設(shè)計(jì)一種功率放大器電路,當(dāng)采用0.25微米的工藝與采用0.09微米的工藝時(shí),設(shè)計(jì)的電路即使相同,但是由于器件的尺寸不同,功能就不同,導(dǎo)致其版圖(lay-out)和制造的產(chǎn)品必然不同。但是這個(gè)不同是否簡單的尺寸的縮放?在進(jìn)行版圖設(shè)計(jì)和制造過程中,需要克服很多的技術(shù)困難,其實(shí)電路能夠設(shè)計(jì)出來但是無法制造出來的情況很多。因此,雖然布圖設(shè)計(jì)的確存在簡單拼揍的情況,而不能滿足專利法的創(chuàng)造性的要求,但是更多的情況是由于在實(shí)際設(shè)計(jì)和制造過程中,需要克服一定的技術(shù)困難,尤其是在亞微米尺寸的半導(dǎo)體器件中,各種附加的尺寸效應(yīng)隨著工藝的尺寸不同而不同,需要不同的處理方式來克服,因此具有實(shí)質(zhì)性的特點(diǎn),能夠滿足專利法的創(chuàng)造性的要求。

當(dāng)然,退一步說,如果該企業(yè)單單從事集成電路設(shè)計(jì),那么其可能對(duì)于制造這一塊的內(nèi)容不是很熟悉,于是會(huì)去進(jìn)行集成電路布圖設(shè)計(jì)登記,但是對(duì)于那些既從事設(shè)計(jì)又從事制造的企業(yè)來說,其應(yīng)該權(quán)衡要從哪個(gè)角度去保護(hù),確定是申請(qǐng)專利進(jìn)行保護(hù)還是進(jìn)行布圖登記進(jìn)行保護(hù),最好是二者兼顧。

下面給出一個(gè)實(shí)例來說明集成電路布圖設(shè)計(jì)條例和專利保護(hù)的異同。比如一種CMOS圖像傳感器的發(fā)明,該發(fā)明通過在溝槽及摻雜區(qū)的下方注入第一雜質(zhì)離子形成光電二極管的第一極的掩埋區(qū)及針形區(qū)以消除場氧化區(qū)底部和邊緣可能存在的暗電流,針形區(qū)由于沒有被場氧化區(qū)覆蓋,而對(duì)光具有極高的敏感度。該發(fā)明創(chuàng)造由于涉及掩膜圖形的改變,既可以通過提交該CMOS圖像傳感器的布局(layout)進(jìn)行布圖設(shè)計(jì)登記保護(hù),還可以申請(qǐng)專利,均可實(shí)現(xiàn)保護(hù)。

從專利保護(hù)內(nèi)容角度來說,可以保護(hù)含有掩埋區(qū)及針形區(qū)的CMOS圖像傳感器、含有該集成電路的物品、制作該CMOS圖像傳感器的方法(發(fā)明),而無論掩埋區(qū)及針形區(qū)如何布局包括形狀、位置等均落入保護(hù)范圍;從集成電路布圖設(shè)計(jì)條例角度來說,可以保護(hù)含有掩埋區(qū)及針形區(qū)的該CMOS圖象傳感器的布圖,以及含有該CMOS圖象傳感器電路的物品。由于集成電路布圖設(shè)計(jì)條例不延及思想、處理過程、操作方法或者數(shù)學(xué)概念等,因而當(dāng)含有不同布局的掩埋區(qū)及針形區(qū)的CMOS圖象傳感器無法保護(hù),或者說,如果含有該掩埋區(qū)及針形區(qū)的CMOS圖象傳感器電路具有不同的布局,那么需要進(jìn)行不同集成電路布圖設(shè)計(jì)的登記。因此,專利法的保護(hù)廣度更強(qiáng)。

從權(quán)利人的權(quán)利角度來看,專利由于保護(hù)思想,若有相關(guān)產(chǎn)品涉及侵權(quán),還可以通過“等同原則”進(jìn)行認(rèn)定,凡是涉及光電二極管的第一極的掩埋區(qū)及針形區(qū)及其變形的圖像傳感器、及制造、使用、許諾銷售、銷售、進(jìn)口該圖像傳感器或者使用其專利方法,均可以被認(rèn)定侵權(quán)(即專利權(quán)中的排他性);而對(duì)于登記后的集成電路,復(fù)制受保護(hù)的布圖設(shè)計(jì)的全部或者其中任何具有獨(dú)創(chuàng)性的部分的,為商業(yè)目的進(jìn)口、銷售或者以其他方式提供受保護(hù)的布圖設(shè)計(jì)、含有該布圖設(shè)計(jì)的集成電路或者含有該集成電路的物品的被認(rèn)定為侵權(quán)。因此,一旦發(fā)生侵權(quán),申請(qǐng)專利可以要求更多的被告和賠償額。

從申請(qǐng)兩種保護(hù)后競爭對(duì)手的反應(yīng)來看,獲得專利權(quán)除了具有上述排他性的權(quán)利外,它也有少于被人重視到的功能,那就是預(yù)計(jì)競爭者的可能發(fā)展方向和產(chǎn)品,而申請(qǐng)有針對(duì)性的專利來達(dá)成阻礙競爭者的手段。在這樣的運(yùn)用方式下,可以說專利權(quán)的可塑性比其它的知識(shí)產(chǎn)權(quán)高。專利權(quán)不但可用于保護(hù)自己的知識(shí)產(chǎn)權(quán)觀念(用于防守),也可用于阻礙(用于攻擊)競爭者的新產(chǎn)品或發(fā)展。

國外企業(yè)在考慮以哪種方式進(jìn)行保護(hù)的時(shí)候,重專利輕集成電路布圖設(shè)計(jì)保護(hù)的深層次原因,也正是可能在于上述的對(duì)兩種權(quán)利的價(jià)值和保護(hù)效果的不同理解。

因此,從企業(yè)的專利布局來說,當(dāng)該技術(shù)方案既可以采用專利法保護(hù)又可以采用集成電路保護(hù)條例進(jìn)行保護(hù)的時(shí)候,如果資金面允許,兩者均申請(qǐng),可以多角度的進(jìn)行保護(hù);若資金面不允許,但是該發(fā)明創(chuàng)造又很重要的話,建議申請(qǐng)專利進(jìn)行保護(hù)。雖然在取得專利權(quán)前的籌備與執(zhí)行中,需要投注實(shí)質(zhì)上的時(shí)間與金錢,包含交付政府專利機(jī)構(gòu)及專利律師的費(fèi)用等,但是在將來專利的潛力無法預(yù)估,即使是一些并不太重要的專利,還可以通過公開而防止由于成為競爭對(duì)手的專利而需要付實(shí)施許可費(fèi)或者受到限制。

集成電路布圖設(shè)計(jì)保護(hù)制度在我國實(shí)施的時(shí)間不長,但它是知識(shí)產(chǎn)權(quán)保護(hù)國際規(guī)則的重要組成部分,我們不能輕率地否定它的價(jià)值,但應(yīng)加強(qiáng)研究,不僅僅是理論研究,更要強(qiáng)調(diào)實(shí)踐層面的調(diào)研,在充分認(rèn)識(shí)和理解集成電路布圖設(shè)計(jì)保護(hù)制度的基礎(chǔ)上,為企業(yè)開展相關(guān)工作提供指導(dǎo)。

 

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